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引言 隨著新能源汽車、5G通信等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體需求持續(xù)攀升。然而,SiC材料硬度極高,傳統(tǒng)機械切割方式如金剛石線鋸與刀輪切割普遍面臨崩邊大、刀具磨損快、切割速度慢(常低于1mm/s)等問題,導(dǎo)致材料利用率低、良率受損;即便是激光燒蝕切割,也存在熱影響區(qū)大、熔渣多等缺陷。這些技術(shù)瓶頸嚴(yán)重制約了SiC器件產(chǎn)能與成本控制,行業(yè)亟需更高精度、更低損傷的切割新工藝。
01 激光改質(zhì)切割 激光改質(zhì)切割技術(shù)應(yīng)運而生其核心原理是通過超短脈沖激光(飛秒 / 皮秒級)精準(zhǔn)聚焦于晶圓內(nèi)部,形成均勻分布的微裂紋改質(zhì)層,再通過機械劈裂使晶圓沿預(yù)定路徑精確分離,全程無需穿透表面。與傳統(tǒng)激光燒蝕不同,該工藝通過“內(nèi)部改質(zhì) + 界面結(jié)構(gòu)直寫”同步完成加工,可有效避免表面損傷與熔渣殘留,同時大幅縮減切割道寬度,成為SiC晶圓精密切割的首選技術(shù)路徑。
02 UW激光晶圓改質(zhì)切割設(shè)備 圖片 聯(lián)贏激光全資子公司——江蘇聯(lián)贏半導(dǎo)體技術(shù)有限公司自主研發(fā)的激光晶圓改質(zhì)切割設(shè)備,正是基于這一先進原理,專為硅基晶圓、碳化硅(SiC)晶圓、藍寶石襯底(LED領(lǐng)域)、太陽能光伏晶片等半導(dǎo)體材料設(shè)計,以 “內(nèi)部改質(zhì) + 機械劈裂” 的創(chuàng)新性工藝,重構(gòu)SiC晶圓精密切割技術(shù)路徑。其非接觸式加工特性避免了傳統(tǒng)切割導(dǎo)致的崩邊、微裂紋和污染問題,特別適用于對精密度和良率要求極高的第三代半導(dǎo)體與新能源領(lǐng)域,從根源上解決了傳統(tǒng)工藝的核心缺陷:
設(shè)備優(yōu)勢特點 UW激光晶圓改質(zhì)切割設(shè)備集成了多項智能化技術(shù),還具備以下技術(shù)優(yōu)勢:
具備自動廣角輪廓校正與多CCD識別功能,可兼容破損片切割;運動平臺平面度控制在≤4μm,結(jié)合自動對焦系統(tǒng),切深誤差≤±3μm,實現(xiàn)2000片晶圓切割位置偏差≤3μm的穩(wěn)定精度
支持自動掃碼調(diào)參和自動上下料,一人可值守多臺設(shè)備,提升生產(chǎn)效率
切割道寬度相比傳統(tǒng)刀輪切割縮減50%以上,提升了晶圓利用率;干式加工工藝無需冷卻液和后續(xù)清洗,節(jié)省耗材與維護成本
適用于硅基、SiC、藍寶石、光伏片等多種先進材料,支持4英寸至12英寸晶圓的精密切割需求 設(shè)備加工效果示例
加工放大效果圖
斷面放大效果圖 UW激光晶圓改質(zhì)切割設(shè)備能有效避免傳統(tǒng)機械切割易出現(xiàn)的崩邊、微裂紋等問題,提升芯片良率與生產(chǎn)效率,助力客戶突破產(chǎn)能瓶頸,提升市場競爭力。其不僅是對傳統(tǒng)加工方式的工藝革新,更為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī);、高質(zhì)量發(fā)展提供了堅實的裝備支撐。 從新能源汽車電驅(qū)功率模塊到5G通信射頻器件,從工業(yè)電源到高端電子設(shè)備,聯(lián)贏半導(dǎo)體始終以“高精度、高效率、高兼容性、低成本”為核心優(yōu)勢,致力于研發(fā)制造半導(dǎo)體封裝與測試環(huán)節(jié)關(guān)鍵設(shè)備,目前已形成包括IGBT貼片機、多頭貼片機、預(yù)燒結(jié)貼片機、VI檢測機、晶圓裂片機及光模塊焊接工作臺等在內(nèi)的半導(dǎo)體封裝及檢測解決方案產(chǎn)品矩陣。 在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的時代機遇下,江蘇聯(lián)贏半導(dǎo)體將持續(xù)聚焦半導(dǎo)體精密加工領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新,和行業(yè)伙伴攜手共同開拓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新未來! 轉(zhuǎn)自:聯(lián)贏激光 注:文章版權(quán)歸原作者所有,本文內(nèi)容、圖片、視頻來自網(wǎng)絡(luò),僅供交流學(xué)習(xí)之用,如涉及版權(quán)等問題,請您告知,我們將及時處理。
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